ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC

ವಿವರಣೆ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವೇಫರ್ SiC, MOCVD ವಿಧಾನದಿಂದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಇಂಗಾಲದ ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಸಂಯುಕ್ತವನ್ನು ಕೃತಕವಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆಅದರ ವಿಶಿಷ್ಟ ವಿಶಾಲವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆಯ ಕಡಿಮೆ ಗುಣಾಂಕದ ಇತರ ಅನುಕೂಲಕರ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಉಷ್ಣತೆ, ಉತ್ತಮ ಶಾಖದ ಹರಡುವಿಕೆ, ಕಡಿಮೆ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮತ್ತು ವಹನ ನಷ್ಟಗಳು, ಹೆಚ್ಚು ಶಕ್ತಿಯ ದಕ್ಷತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ಬಲವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಸ್ಥಗಿತ ಶಕ್ತಿ, ಹಾಗೆಯೇ ಹೆಚ್ಚು ಕೇಂದ್ರೀಕೃತ ಪ್ರವಾಹಗಳು ಸ್ಥಿತಿ.ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC ಅನ್ನು 2″ 3' 4" ಮತ್ತು 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) ವ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ n-ಟೈಪ್, ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಡಮ್ಮಿ ವೇಫರ್‌ನೊಂದಿಗೆ ನೀಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್. ಯಾವುದೇ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯು ವಿಶ್ವಾದ್ಯಂತ ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು

ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ 4H/6H ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC ವೇಫರ್ ಅನೇಕ ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಉನ್ನತ ವೇಗದ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಾದ Schottky ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು SBD, ಹೈ-ಪವರ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ MOSFET ಗಳು ಮತ್ತು JFET ಗಳು ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಪರಿಪೂರ್ಣವಾಗಿದೆ. ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್-ಗೇಟ್ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ಅಪೇಕ್ಷಣೀಯ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಹೊಸ ಪೀಳಿಗೆಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟಿಂಗ್ ವಸ್ತುವಾಗಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC ವೇಫರ್ ಉನ್ನತ-ಶಕ್ತಿಯ ಎಲ್ಇಡಿಗಳ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಶಾಖ ಹರಡುವಿಕೆಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಭವಿಷ್ಯದ ಉದ್ದೇಶಿತ ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಪರಿಶೋಧನೆಯ ಪರವಾಗಿ ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ GaN ಪದರಕ್ಕೆ ಸ್ಥಿರ ಮತ್ತು ಜನಪ್ರಿಯ ತಲಾಧಾರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ.

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiCವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ 2″ 3' 4" ಮತ್ತು 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) ವ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ n-ಟೈಪ್, ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಡಮ್ಮಿ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಕೈಗಾರಿಕಾ ಮತ್ತು ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದ ಅನ್ವಯಕ್ಕಾಗಿ ಒದಗಿಸಬಹುದು .ಯಾವುದೇ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯು ವಿಶ್ವಾದ್ಯಂತ ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ.

ಲೀನಿಯರ್ ಫಾರ್ಮುಲಾ	SiC
ಆಣ್ವಿಕ ತೂಕ	40.1
ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ	ವರ್ಟ್ಜೈಟ್
ಗೋಚರತೆ	ಘನ
ಕರಗುವ ಬಿಂದು	3103 ± 40K
ಕುದಿಯುವ ಬಿಂದು	ಎನ್ / ಎ
300K ನಲ್ಲಿ ಸಾಂದ್ರತೆ	3.21 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³
ಶಕ್ತಿಯ ಅಂತರ	(3.00-3.23) ಇವಿ
ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ	>1E5 Ω-ಸೆಂ
CAS ಸಂಖ್ಯೆ	409-21-2
ಇಸಿ ಸಂಖ್ಯೆ	206-991-8

ಸಂ.	ವಸ್ತುಗಳು	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
1	SiC ಗಾತ್ರ	2"	3"	4"	6"
2	ವ್ಯಾಸ ಮಿಮೀ	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	ವಾಹಕತೆಯ ಪ್ರಕಾರ	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ Ω-ಸೆಂ	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	ದೃಷ್ಟಿಕೋನ	0° ± 0.5°;<1120> ಕಡೆಗೆ 4.0°
7	ದಪ್ಪ μm	330±25	330±25	(350-500) ±25	(350-500) ±25
8	ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಫ್ಲಾಟ್ ಸ್ಥಳ	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಫ್ಲಾಟ್ ಉದ್ದ ಮಿಮೀ	16± 1.7	22.2 ± 3.2	32.5±2	47.5 ± 2.5
10	ಸೆಕೆಂಡರಿ ಫ್ಲಾಟ್ ಸ್ಥಳ	ಸಿಲಿಕಾನ್ ಫೇಸ್ ಅಪ್: 90°, ಪ್ರೈಮ್ ಫ್ಲಾಟ್ ±5.0° ನಿಂದ ಪ್ರದಕ್ಷಿಣಾಕಾರವಾಗಿ
11	ಸೆಕೆಂಡರಿ ಫ್ಲಾಟ್ ಉದ್ದ ಮಿಮೀ	8± 1.7	11.2 ± 1.5	18±2	22± 2.5
12	TTV μm ಗರಿಷ್ಠ	15	15	15	15
13	ಬಿಲ್ಲು μm ಗರಿಷ್ಠ	40	40	40	40
14	ವಾರ್ಪ್ μm ಗರಿಷ್ಠ	60	60	60	60
15	ಎಡ್ಜ್ ಎಕ್ಸ್ಕ್ಲೂಷನ್ ಎಂಎಂ ಗರಿಷ್ಠ	1	2	3	3
16	ಮೈಕ್ರೊಪೈಪ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ಸೆಂ-2	<5, ಕೈಗಾರಿಕಾ;<15, ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ;<50, ನಕಲಿ
17	ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಸೆಂ-2	<3000, ಕೈಗಾರಿಕಾ;<20000, ಪ್ರಯೋಗಾಲಯ;<500000, ನಕಲಿ
18	ಮೇಲ್ಮೈ ಒರಟುತನ nm ಗರಿಷ್ಠ	1(ನಯಗೊಳಿಸಿದ), 0.5 (CMP)
19	ಬಿರುಕುಗಳು	ಯಾವುದೂ ಇಲ್ಲ, ಕೈಗಾರಿಕಾ ದರ್ಜೆಗೆ
20	ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಫಲಕಗಳು	ಯಾವುದೂ ಇಲ್ಲ, ಕೈಗಾರಿಕಾ ದರ್ಜೆಗೆ
21	ಗೀರುಗಳು	≤3mm, ಒಟ್ಟು ಉದ್ದ ತಲಾಧಾರದ ವ್ಯಾಸಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ
22	ಎಡ್ಜ್ ಚಿಪ್ಸ್	ಯಾವುದೂ ಇಲ್ಲ, ಕೈಗಾರಿಕಾ ದರ್ಜೆಗೆ
23	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಸಂಯೋಜಿತ ಚೀಲದಲ್ಲಿ ಮೊಹರು ಮಾಡಿದ ಏಕ ವೇಫರ್ ಕಂಟೇನರ್.

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC 4H/6Hಉನ್ನತ ಗುಣಮಟ್ಟದ ವೇಫರ್ ಅನೇಕ ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಉನ್ನತ ವೇಗದ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಾದ ಸ್ಕಾಟ್ಕಿ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು SBD, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಪವರ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ MOSFET ಗಳು ಮತ್ತು JFET ಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಇದು ಅಪೇಕ್ಷಣೀಯ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್-ಗೇಟ್ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ.ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಹೊಸ ಪೀಳಿಗೆಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟಿಂಗ್ ವಸ್ತುವಾಗಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ SiC ವೇಫರ್ ಉನ್ನತ-ಶಕ್ತಿಯ ಎಲ್ಇಡಿಗಳ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಶಾಖ ಹರಡುವಿಕೆಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಭವಿಷ್ಯದ ಉದ್ದೇಶಿತ ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಪರಿಶೋಧನೆಯ ಪರವಾಗಿ ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ GaN ಪದರಕ್ಕೆ ಸ್ಥಿರ ಮತ್ತು ಜನಪ್ರಿಯ ತಲಾಧಾರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ.