ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್

ವಿವರಣೆ

ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಇನ್₂O₃ ಅಥವಾ ಇಂಡಿಯಮ್ ಟ್ರೈಆಕ್ಸೈಡ್ 99.99%, 99.995%, 99.999% ಮತ್ತು 99.9999%, ಮೈಕ್ರೋಪೌಡರ್ ಅಥವಾ ನ್ಯಾನೊಪರ್ಟಿಕಲ್ ಲೈಟ್-ಹಳದಿ ಘನ ಪುಡಿ, CAS 1312-43-3, ಸಾಂದ್ರತೆ 7.18g/cm³ ಮತ್ತು ಸುಮಾರು 2000° ಕರಗುತ್ತದೆC, ಸ್ಥಿರವಾದ ಸೆರಾಮಿಕ್ ತರಹದ ವಸ್ತುವಾಗಿದ್ದು ಅದು ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಕರಗುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಬಿಸಿ ಅಜೈವಿಕ ಆಮ್ಲದಲ್ಲಿ ಕರಗುತ್ತದೆ.ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಇನ್₂O₃ಸಣ್ಣ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗವರ್ಧಕ ಚಟುವಟಿಕೆ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ವಿಶಾಲವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ n- ಮಾದರಿಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಕಾರ್ಯ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಇನ್₂O₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ 99.99%, 99.995%, 99.999% ಮತ್ತು 99.9999% ನಷ್ಟು ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ 2-10 ಮೈಕ್ರಾನ್ ಅಥವಾ -100 ಮೆಶ್ ಪೌಡರ್ ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊ ದರ್ಜೆಯ, 1 ಕೆಜಿ ಪಾಲಿಥಿಲೀನ್ ಬಾಟಲಿಯಲ್ಲಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಚೀಲದೊಂದಿಗೆ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಲಾಗುವುದು. ಅಥವಾ 1kg, 2kg 5kg ಸಂಯೋಜಿತ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಬ್ಯಾಗ್‌ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಟನ್ ಬಾಕ್ಸ್‌ನೊಂದಿಗೆ, ಅಥವಾ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರಗಳಿಗೆ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿಶೇಷಣಗಳಂತೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು

ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಇನ್₂O₃ ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತ್, ಅನಿಲ ಸಂವೇದಕ, ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಇನ್ಫ್ರಾ-ರೆಡ್ ರಿಫ್ಲೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು, ವೇಗವರ್ಧಕ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್, ವಿಶೇಷ ಗಾಜಿನ ಬಣ್ಣ ಸಂಯೋಜಕ, ಕ್ಷಾರೀಯ ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕಗಳು, ಲೋಹೀಯ ಕನ್ನಡಿಯ ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಲೇಪನ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್‌ನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಪ್ರದರ್ಶನ ಇತ್ಯಾದಿ₂O₃ಡಿಸ್ಪ್ಲೇಗಳು, ಶಕ್ತಿ ದಕ್ಷ ಕಿಟಕಿಗಳು ಮತ್ತು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕಗಳಿಗಾಗಿ ITO ಗುರಿಯ ಮುಖ್ಯ ಅಂಶವಾಗಿದೆ.ಜೊತೆಗೆ, ಇನ್₂O₃ p-InP, n-GaAs, n-Si ಮತ್ತು ಇತರ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್‌ಗಳಂತಹ ವಸ್ತುಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್‌ಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸಲು IC ಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿರೋಧಕ ಅಂಶವಾಗಿದೆ.ಏತನ್ಮಧ್ಯೆ, ಮೇಲ್ಮೈ ಪರಿಣಾಮ, ಸಣ್ಣ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿಕ್ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಸುರಂಗ ಪರಿಣಾಮ,ನ್ಯಾನೋ ಇನ್₂O₃ ಪ್ರಾಥಮಿಕವಾಗಿ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಆಂಟಿಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಲೇಪನಗಳು, ಪಾರದರ್ಶಕ ವಾಹಕ ಲೇಪನಗಳ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್.