ಇಂಡಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP

ವಿವರಣೆ

ಇಂಡಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP,CAS No.22398-80-7, ಕರಗುವ ಬಿಂದು 1600 ° C, III-V ಕುಟುಂಬದ ಬೈನರಿ ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕ, ಮುಖ-ಕೇಂದ್ರಿತ ಘನ "ಸತು ಮಿಶ್ರಣ" ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ III-V ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೋಲುತ್ತದೆ. 6N 7N ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಇಂಡಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಫಾಸ್ಫರಸ್ ಅಂಶ, ಮತ್ತು LEC ಅಥವಾ VGF ತಂತ್ರದಿಂದ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿ ಬೆಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು 6″ (150 ಮಿಮೀ) ವ್ಯಾಸದವರೆಗೆ ಮತ್ತಷ್ಟು ವೇಫರ್ ತಯಾರಿಕೆಗಾಗಿ ಎನ್-ಟೈಪ್, ಪಿ-ಟೈಪ್ ಅಥವಾ ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಅದರ ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳ ಉನ್ನತ ಚಲನಶೀಲತೆ ಮತ್ತು ದಕ್ಷ ಥರ್ಮಲ್ ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ. ವಾಹಕತೆ.ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP ವೇಫರ್ ಪ್ರೈಮ್ ಅಥವಾ ಟೆಸ್ಟ್ ಗ್ರೇಡ್ ಅನ್ನು p-ಟೈಪ್, n-ಟೈಪ್ ಮತ್ತು 2" 3" 4" ಮತ್ತು 6" (150mm ವರೆಗೆ) ವ್ಯಾಸದ ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿ ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ವಾಹಕತೆಯೊಂದಿಗೆ ನೀಡಬಹುದು, ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ <111> ಅಥವಾ <100> ಮತ್ತು ದಪ್ಪ 350-625um ಎಚ್ಚಣೆ ಮತ್ತು ಹೊಳಪು ಅಥವಾ ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯದೊಂದಿಗೆ.ಏತನ್ಮಧ್ಯೆ ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್ 2-6″ ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ.6E15 ಅಥವಾ 6E15-3E16 ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಕ್ಯಾರಿಯರ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ 2.5-6.0kg ನ D(60-75) x ಉದ್ದ (180-400) mm ಗಾತ್ರದ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP ಅಥವಾ ಮಲ್ಟಿ-ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ InP ಇಂಗಾಟ್ ಸಹ ಲಭ್ಯವಿದೆ.ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಯಾವುದೇ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಗಳು ಲಭ್ಯವಿದೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಇಂಡಿಯಮ್-ಗ್ಯಾಲಿಯಂ-ಆರ್ಸೆನೈಡ್ (InGaAs) ಆಧಾರಿತ ಆಪ್ಟೋ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ತಲಾಧಾರವಾಗಿ ಆಪ್ಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಫೈಬರ್ ಸಂವಹನಗಳು, ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಮೂಲ ಸಾಧನಗಳು, ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಗೇಟ್ FET ಸಾಧನಗಳು, ಹೈ-ಸ್ಪೀಡ್ ಮಾಡ್ಯುಲೇಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಫೋಟೋ-ಡಿಟೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಉಪಗ್ರಹ ನ್ಯಾವಿಗೇಷನ್ ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ ಭರವಸೆಯ ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲಗಳಿಗಾಗಿ ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿದೆ.

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಇಂಡಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP

ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಏಕ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (ಎಸ್‌ಸಿ) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ ವೇಫರ್ (ಇನ್‌ಪಿ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್ ಅಥವಾ ವೇಫರ್) ಅನ್ನು ಪಿ-ಟೈಪ್, ಎನ್-ಟೈಪ್ ಮತ್ತು ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ವಾಹಕತೆಯೊಂದಿಗೆ 2" 3" 4" ಮತ್ತು 6" (150 ಮಿಮೀ ವರೆಗೆ) ವ್ಯಾಸದ ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿ ನೀಡಬಹುದು, ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ <111> ಅಥವಾ <100> ಮತ್ತು ದಪ್ಪ 350-625um ಎಚ್ಚಣೆ ಮತ್ತು ಹೊಳಪು ಅಥವಾ ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯದೊಂದಿಗೆ.

ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ಅಥವಾ 6E15 ಅಥವಾ 6E15-3E16 ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಕ್ಯಾರಿಯರ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ 2.5-6.0kg ನ D(60-75) x L(180-400) mm ಗಾತ್ರದ ಮಲ್ಟಿ-ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್ (InP ಪಾಲಿ ಇಂಗೋಟ್) ಲಭ್ಯವಿದೆ.ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಯಾವುದೇ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಗಳು ಲಭ್ಯವಿದೆ.

ಸಂ.	ವಸ್ತುಗಳು	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
1	ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಏಕ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್	2"	3"	4"
2	ವ್ಯಾಸ ಮಿಮೀ	50.8 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100 ± 0.5
3	ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ	ವಿಜಿಎಫ್	ವಿಜಿಎಫ್	ವಿಜಿಎಫ್
4	ವಾಹಕತೆ	P/Zn-ಡೋಪ್ಡ್, N/(S-ಡೋಪ್ಡ್ ಅಥವಾ ಅನ್-ಡೋಪ್ಡ್), ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್
5	ದೃಷ್ಟಿಕೋನ	(100) ±0.5°, (111) ±0.5°
6	ದಪ್ಪ μm	350±25	600±25	600±25
7	ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ ಫ್ಲಾಟ್ ಎಂಎಂ	16±2	22±1	32.5±1
8	ಗುರುತಿಸುವಿಕೆ ಫ್ಲಾಟ್ ಎಂಎಂ	8±1	11±1	18± 1
9	ಮೊಬಿಲಿಟಿ cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	ವಾಹಕ ಸಾಂದ್ರತೆ ಸೆಂ-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm ಗರಿಷ್ಠ	10	10	10
12	ಬಿಲ್ಲು μm ಗರಿಷ್ಠ	10	10	10
13	ವಾರ್ಪ್ μm ಗರಿಷ್ಠ	15	15	15
14	ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಡೆನ್ಸಿಟಿ ಸೆಂ-2 ಗರಿಷ್ಠ	500	1000	2000
15	ಮೇಲ್ಪದರ ಗುಣಮಟ್ಟ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಸಂಯೋಜಿತ ಚೀಲದಲ್ಲಿ ಮೊಹರು ಮಾಡಿದ ಏಕ ವೇಫರ್ ಕಂಟೇನರ್.

ಸಂ.	ವಸ್ತುಗಳು	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
1	ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಇಂಗೋಟ್	ಪಾಲಿ-ಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಅಥವಾ ಮಲ್ಟಿ-ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್
2	ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಗಾತ್ರ	D(60-75) x L(180-400)mm
3	ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಇಂಗೋಟ್‌ಗೆ ತೂಕ	2.5-6.0ಕೆ.ಜಿ
4	ಚಲನಶೀಲತೆ	≥3500 ಸೆಂ²/ವಿಎಸ್
5	ವಾಹಕ ಏಕಾಗ್ರತೆ	≤6E15, ಅಥವಾ 6E15-3E16 ಸೆಂ^-3
6	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	ಪ್ರತಿ InP ಸ್ಫಟಿಕ ಇಂಗು ಮುಚ್ಚಿದ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಚೀಲದಲ್ಲಿದೆ, ಒಂದು ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯಲ್ಲಿ 2-3 ಇಂಗುಗಳು.

ಲೀನಿಯರ್ ಫಾರ್ಮುಲಾ	InP
ಆಣ್ವಿಕ ತೂಕ	145.79
ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ	ಸತು ಮಿಶ್ರಣ
ಗೋಚರತೆ	ಸ್ಫಟಿಕೀಯ
ಕರಗುವ ಬಿಂದು	1062°C
ಕುದಿಯುವ ಬಿಂದು	ಎನ್ / ಎ
300K ನಲ್ಲಿ ಸಾಂದ್ರತೆ	4.81 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³
ಶಕ್ತಿಯ ಅಂತರ	1.344 ಇವಿ
ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ	8.6E7 Ω-ಸೆಂ
CAS ಸಂಖ್ಯೆ	22398-80-7
ಇಸಿ ಸಂಖ್ಯೆ	244-959-5

ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ InP ವೇಫರ್ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಇಂಡಿಯಮ್-ಗ್ಯಾಲಿಯಂ-ಆರ್ಸೆನೈಡ್ (InGaAs) ಆಧಾರಿತ ಆಪ್ಟೋ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ತಲಾಧಾರವಾಗಿ ಆಪ್ಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಆವರ್ತನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಫೈಬರ್ ಸಂವಹನಗಳು, ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಮೂಲ ಸಾಧನಗಳು, ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಗೇಟ್ FET ಸಾಧನಗಳು, ಹೈ-ಸ್ಪೀಡ್ ಮಾಡ್ಯುಲೇಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಫೋಟೋ-ಡಿಟೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಉಪಗ್ರಹ ನ್ಯಾವಿಗೇಷನ್ ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ ಭರವಸೆಯ ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲಗಳಿಗಾಗಿ ಇಂಡಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿದೆ.