Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಿಡಿ₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

ವಿವರಣೆ

ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಿಡಿ₃As₂5N 99.999%,ಗಾಢ ಬೂದು ಬಣ್ಣ, ಸಾಂದ್ರತೆ 6.211g/cm³, ಕರಗುವ ಬಿಂದು 721°C, ಅಣು 487.04, CAS12006-15-4, ನೈಟ್ರಿಕ್ ಆಮ್ಲ HNO ನಲ್ಲಿ ಕರಗುತ್ತದೆ₃ ಮತ್ತು ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಆರ್ಸೆನಿಕ್ನ ಸಂಶ್ಲೇಷಿತ ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ II-V ಕುಟುಂಬದಲ್ಲಿ ಅಜೈವಿಕ ಸೆಮಿಮೆಟಲ್ ಆಗಿದೆ ಮತ್ತು ನೆರ್ನ್ಸ್ಟ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ.ಬ್ರಿಡ್ಗ್‌ಮ್ಯಾನ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನದಿಂದ ಬೆಳೆದ ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕ, ನಾನ್-ಲೇಯರ್ಡ್ ಬಲ್ಕ್ ಡೈರಾಕ್ ಸೆಮಿಮೆಟಲ್ ರಚನೆಯು ಕ್ಷೀಣಿಸಿದ N-ಟೈಪ್ II-V ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಹಕ ಚಲನಶೀಲತೆ, ಕಡಿಮೆ-ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಪ್ಯಾರಾಬೋಲಿಕ್ ಅಲ್ಲದ ವಹನದೊಂದಿಗೆ ಕಿರಿದಾದ-ಅಂತರ ಅರೆವಾಹಕವಾಗಿದೆ. ಬ್ಯಾಂಡ್.ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಿಡಿ₃As₂ಅಥವಾ CdAಗಳು ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಘನವಸ್ತುವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಫೋಟೋ ಆಪ್ಟಿಕ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ನೆರ್ನ್ಸ್ಟ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಬಳಸುವ ಇನ್ಫ್ರಾರೆಡ್ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, ತೆಳುವಾದ-ಫಿಲ್ಮ್ ಡೈನಾಮಿಕ್ ಪ್ರೆಶರ್ ಸೆನ್ಸರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, ಲೇಸರ್, ಲೈಟ್-ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್‌ಗಳಲ್ಲಿ LED, ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಡಾಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಹೆಚ್ಚು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೋರೆಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಫೋಟೋ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಮಾಡಿ.ಆರ್ಸೆನೈಡ್ GaAs, ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ InAs ಮತ್ತು Niobium Arsenide NbAs ಅಥವಾ Nb ನ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು₅As₃ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಮೆಟೀರಿಯಲ್, ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಟೀರಿಯಲ್, ಕ್ಯೂಎಲ್‌ಇಡಿ ಡಿಸ್ಪ್ಲೇ, ಐಸಿ ಫೀಲ್ಡ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಮೆಟೀರಿಯಲ್ ಫೀಲ್ಡ್‌ಗಳಂತೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳಿ.

ವಿತರಣೆ

ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಿಡಿ₃As₂ಮತ್ತು ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ GaAs, ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ InAs ಮತ್ತು ನಿಯೋಬಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ NbAs ಅಥವಾ Nb₅As₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ 99.99% 4N ಮತ್ತು 99.999% 5N ಶುದ್ಧತೆ ಹೊಂದಿರುವ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಮೈಕ್ರೊಪೌಡರ್ -60ಮೆಶ್, -80ಮೆಶ್, ನ್ಯಾನೊಪರ್ಟಿಕಲ್, 1-20ಮಿಮೀ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್ 1-6ಮಿಮೀ, ಚಂಕ್, ಬ್ಲಾಂಕ್, ಬಲ್ಕ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಇತ್ಯಾದಿ ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿದೆ. ., ಅಥವಾ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ತಲುಪಲು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ.

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು

ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಲೋಹದ ಅಂಶಗಳು ಮತ್ತು ಮೆಟಾಲಾಯ್ಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಿ, ಸ್ಟೊಚಿಯೊಮೆಟ್ರಿಕ್ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಬದಲಾಗುವ ಸಂಯುಕ್ತ ಆಧಾರಿತ ಘನ ದ್ರಾವಣವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ.ಇಂಟರ್-ಮೆಟಾಲಿಕ್ ಸಂಯುಕ್ತವು ಲೋಹ ಮತ್ತು ಸೆರಾಮಿಕ್ ನಡುವಿನ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಹೊಸ ರಚನಾತ್ಮಕ ವಸ್ತುಗಳ ಪ್ರಮುಖ ಶಾಖೆಯಾಗಿದೆ.ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ GaAs ಜೊತೆಗೆ, ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ InAs ಮತ್ತು Niobium Arsenide NbAs ಅಥವಾ Nb₅As₃ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ಬಾರ್, ಸ್ಫಟಿಕ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಸಹ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು.

ಸಂ.	ಐಟಂ	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
ಸಂ.	ಐಟಂ	ಶುದ್ಧತೆ	ಅಶುದ್ಧತೆ PPM ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಪ್ರತಿ	ಗಾತ್ರ
1	ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್Cd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60ಮೆಶ್ -80ಮೆಶ್ ಪೌಡರ್, 1-20ಮಿಮೀ ಉಂಡೆ, 1-6ಮಿಮೀ ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್
2	ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ GaAs	5N 6N 7N	ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ GaAs ಸಂಯೋಜನೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ
3	ನಿಯೋಬಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಎನ್ಬಿಎಗಳು	3N5	ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ NbAs ಸಂಯೋಜನೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ
4	ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ InAs	5N 6N	InAs ಸಂಯೋಜನೆಯು ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ
5	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	500 ಗ್ರಾಂ ಅಥವಾ 1000 ಗ್ರಾಂ ಪಾಲಿಥಿಲೀನ್ ಬಾಟಲ್ ಅಥವಾ ಸಂಯೋಜಿತ ಚೀಲದಲ್ಲಿ, ಹೊರಗೆ ರಟ್ಟಿನ ಪೆಟ್ಟಿಗೆ

ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ GaAs, ಸತು ಮಿಶ್ರಿತ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯೊಂದಿಗೆ III-V ಸಂಯುಕ್ತ ಡೈರೆಕ್ಟ್-ಗ್ಯಾಪ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಮತ್ತು ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ ಮತ್ತು ಲಂಬ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಫ್ರೀಜ್ (VGF) ವಿಧಾನದಿಂದ ಬೆಳೆದ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕದ ಇಂಗೋಟ್‌ನಿಂದ ವೇಫರ್ ಮತ್ತು ಖಾಲಿಯಾಗಿ ಸ್ಲೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು. .ಅದರ ಸ್ಯಾಚುರೇಟಿಂಗ್ ಹಾಲ್ ಚಲನಶೀಲತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆಗೆ ಧನ್ಯವಾದಗಳು, ಆ RF ಘಟಕಗಳು, ಮೈಕ್ರೊವೇವ್ ಐಸಿಗಳು ಮತ್ತು ಎಲ್ಇಡಿ ಸಾಧನಗಳು ತಮ್ಮ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಸಂವಹನ ದೃಶ್ಯಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುತ್ತವೆ.ಏತನ್ಮಧ್ಯೆ, ಅದರ UV ಬೆಳಕಿನ ಪ್ರಸರಣ ದಕ್ಷತೆಯು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಸಾಬೀತಾಗಿರುವ ಮೂಲಭೂತ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ GaAs ವೇಫರ್ ಅನ್ನು 6" ಅಥವಾ 150mm ವ್ಯಾಸದ 6N 7N ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ತಲುಪಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು Gallium Arsenide ಮೆಕ್ಯಾನಿಕಲ್ ಗ್ರೇಡ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಸಹ ಲಭ್ಯವಿದೆ. ಏತನ್ಮಧ್ಯೆ, Gallium Arsenide ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಬಾರ್, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಮತ್ತು ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್ ಇತ್ಯಾದಿ ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಿಂದ ಒದಗಿಸಲಾದ 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N ಸಹ ಲಭ್ಯವಿದೆ ಅಥವಾ ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ.

ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್

ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಇನ್ಎಎಸ್, ಸತು-ಮಿಶ್ರಣ ರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣಗೊಳ್ಳುವ ನೇರ-ಬ್ಯಾಂಡ್-ಗ್ಯಾಪ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಇಂಡಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಸಂಯೋಜಿತವಾಗಿದ್ದು, ಲಿಕ್ವಿಡ್ ಎನ್‌ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಕ್ಜೋಕ್ರಾಲ್ಸ್ಕಿ (ಎಲ್‌ಇಸಿ) ವಿಧಾನದಿಂದ ಬೆಳೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಒಂದೇ ಸ್ಫಟಿಕದ ಇಂಗೋಟ್‌ನಿಂದ ವೇಫರ್‌ಗೆ ಹೋಳು ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ತಯಾರಿಸಬಹುದು.ಕಡಿಮೆ ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ಆದರೆ ಸ್ಥಿರವಾದ ಲ್ಯಾಟಿಸ್‌ನಿಂದಾಗಿ, ಇನ್‌ಎಎಸ್‌ಗಳು ಭಿನ್ನಜಾತಿಯ InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ರಚನೆಗಳು ಅಥವಾ AlGaSb ಸೂಪರ್‌ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಬೆಂಬಲಿಸಲು ಸೂಕ್ತವಾದ ತಲಾಧಾರವಾಗಿದೆ.ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದು 2-14 μm ತರಂಗ ಶ್ರೇಣಿಯ ಅತಿಗೆಂಪು ಹೊರಸೂಸುವ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ.ಇದಲ್ಲದೆ, ಅತ್ಯುನ್ನತ ಹಾಲ್ ಚಲನಶೀಲತೆ ಆದರೆ InAs ನ ಕಿರಿದಾದ ಶಕ್ತಿಯ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗ್ಯಾಪ್ ಇದು ಹಾಲ್ ಘಟಕಗಳು ಅಥವಾ ಇತರ ಲೇಸರ್ ಮತ್ತು ವಿಕಿರಣ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಉತ್ತಮ ತಲಾಧಾರವಾಗಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ.99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N ನ ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನಿಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ InAs ಅನ್ನು 2" 3" 4" ವ್ಯಾಸದ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ವಿತರಿಸಬಹುದು. ಏತನ್ಮಧ್ಯೆ, ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಲುಂಪ್‌ನಲ್ಲಿ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನಿಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ) ನಿಗಮವು ಸಹ ಲಭ್ಯವಿದೆ ಅಥವಾ ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ.

ನಿಯೋಬಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್

Nಅಯೋಬಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಎನ್ಬಿ₅As₃ or ಎನ್ಬಿಎಗಳು,ಬಿಳಿ ಅಥವಾ ಬೂದು ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಘನ, CAS ನಂ.12255-08-2, ಸೂತ್ರದ ತೂಕ 653.327 Nb₅As₃ಮತ್ತು 167.828 NbAs, NbAs,Nb5As3, NbAs4 …ಇತ್ಯಾದಿ ಸಂಯೋಜನೆಯೊಂದಿಗೆ ನಿಯೋಬಿಯಂ ಮತ್ತು ಆರ್ಸೆನಿಕ್‌ನ ಬೈನರಿ ಸಂಯುಕ್ತವಾಗಿದ್ದು, CVD ವಿಧಾನದಿಂದ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಈ ಘನ ಲವಣಗಳು ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಆರ್ಸೆನಿಕ್‌ನ ಅಂತರ್ಗತ ವಿಷತ್ವದಿಂದಾಗಿ ವಿಷಕಾರಿಯಾಗಿದೆ.ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಉಷ್ಣ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯು NdA ಗಳು ಬಿಸಿಯಾದ ಮೇಲೆ ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ನಿಯೋಬಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್, ವೇಲ್ ಸೆಮಿಮೆಟಲ್, ಅರೆವಾಹಕ, ಫೋಟೋ ಆಪ್ಟಿಕ್, ಲೇಸರ್ ಲೈಟ್-ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು, ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಡಾಟ್‌ಗಳು, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಪ್ರೆಶರ್ ಸೆನ್ಸರ್‌ಗಳು, ಮಧ್ಯವರ್ತಿಗಳಾಗಿ ಮತ್ತು ಸೂಪರ್ ಕಂಡಕ್ಟರ್ ಇತ್ಯಾದಿಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತ್ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.₅As₃ಅಥವಾ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ 99.99% 4N ನ ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ NbA ಗಳನ್ನು ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ಗುರಿ ಮತ್ತು ಬೃಹತ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ಆಕಾರದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ ವಿತರಿಸಬಹುದು, ಅದನ್ನು ಚೆನ್ನಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ, ಬೆಳಕು-ನಿರೋಧಕದಲ್ಲಿ ಇರಿಸಬೇಕು. , ಶುಷ್ಕ ಮತ್ತು ತಂಪಾದ ಸ್ಥಳ.