ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಜಿಎಪಿ

ವಿವರಣೆ

Gallium Phosphide GaP, ಇತರ III-V ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತುಗಳಂತೆ ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಪ್ರಮುಖ ಅರೆವಾಹಕವಾಗಿದ್ದು, ಉಷ್ಣಬಲವಾಗಿ ಸ್ಥಿರವಾದ ಘನ ZB ರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಇದು 2.26 eV (300K) ನ ಪರೋಕ್ಷ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಕಿತ್ತಳೆ-ಹಳದಿ ಅರೆಪಾರದರ್ಶಕ ಸ್ಫಟಿಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. 6N 7N ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಮತ್ತು ರಂಜಕದಿಂದ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಲಿಕ್ವಿಡ್ ಎನ್‌ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಕ್ಜೋಕ್ರಾಲ್ಸ್ಕಿ (LEC) ತಂತ್ರದಿಂದ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿ ಬೆಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಸ್ಫಟಿಕವು n-ಮಾದರಿಯ ಅರೆವಾಹಕವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸಲ್ಫರ್ ಅಥವಾ ಟೆಲ್ಯುರಿಯಮ್ ಅನ್ನು ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸಿಸ್ಟಮ್, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಅನ್ವಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅಪೇಕ್ಷಿತ ವೇಫರ್‌ಗೆ ಮತ್ತಷ್ಟು ತಯಾರಿಕೆಗಾಗಿ ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಾಹಕತೆಯಾಗಿ ಸತುವು ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ.ನಿಮ್ಮ LPE, MOCVD ಮತ್ತು MBE ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಗ್ಯಾಪ್ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಎಪಿ-ರೆಡಿ ತಯಾರಿಸಬಹುದು.ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಜಿಎಪಿ ವೇಫರ್ ಪಿ-ಟೈಪ್, ಎನ್-ಟೈಪ್ ಅಥವಾ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (ಎಸ್‌ಸಿ) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ ಡೋಪ್ ಮಾಡದ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು 2″ಮತ್ತು 3” (50ಮಿಮೀ, 75ಮಿಮೀ ವ್ಯಾಸ) , ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ <100>,<111 > ಕತ್ತರಿಸಿದ, ನಯಗೊಳಿಸಿದ ಅಥವಾ ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯದೊಂದಿಗೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು

ಕಡಿಮೆ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಜಿಎಪಿ ವೇಫರ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಡಿಸ್ಪ್ಲೇ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಿಗೆ ಕಡಿಮೆ-ವೆಚ್ಚದ ಕೆಂಪು, ಕಿತ್ತಳೆ ಮತ್ತು ಹಸಿರು ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು (LED ಗಳು) ಮತ್ತು ಹಳದಿ ಮತ್ತು ಹಸಿರು LCD ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ಹಿಂಬದಿ ಬೆಳಕು ಮತ್ತು LED ಚಿಪ್‌ಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಕಡಿಮೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಮ ಹೊಳಪು, ಅತಿಗೆಂಪು ಸಂವೇದಕಗಳು ಮತ್ತು ಮಾನಿಟರಿಂಗ್ ಕ್ಯಾಮೆರಾಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಮೂಲಭೂತ ತಲಾಧಾರವಾಗಿಯೂ ಸಹ GaP ಅನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಜಿಎಪಿ

ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಜಿಎಪಿ ವೇಫರ್ ಅಥವಾ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪಿ-ಟೈಪ್, ಎನ್-ಟೈಪ್ ಅಥವಾ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (ಎಸ್‌ಸಿ) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ ಅನ್‌ಡೋಪ್ಡ್ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು 2″ ಮತ್ತು 3” (50 ಮಿಮೀ, 75 ಮಿಮೀ) ವ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ, ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ <100> , <111> ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಬ್ಯಾಗ್‌ನಲ್ಲಿ ಮೊಹರು ಮಾಡಿದ ಸಿಂಗಲ್ ವೇಫರ್ ಕಂಟೇನರ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರಕ್ಕಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ ಕತ್ತರಿಸಿದ, ಲ್ಯಾಪ್ ಮಾಡಿದ, ಎಚ್ಚಣೆ ಮಾಡಿದ, ಪಾಲಿಶ್ ಮಾಡಿದ, ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧದ ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯದೊಂದಿಗೆ.

ಸಂ.	ವಸ್ತುಗಳು	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
1	ಜಿಎಪಿ ಗಾತ್ರ	2"
2	ವ್ಯಾಸ ಮಿಮೀ	50.8 ± 0.5
3	ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ	LEC
4	ವಾಹಕತೆಯ ಪ್ರಕಾರ	P-ಟೈಪ್/Zn-ಡೋಪ್ಡ್, N-ಟೈಪ್/(S, Si,Te)-ಡೋಪ್ಡ್, ಅನ್-ಡೋಪ್ಡ್
5	ದೃಷ್ಟಿಕೋನ	<1 1 1> ± 0.5°
6	ದಪ್ಪ μm	(300-400) ± 20
7	ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ Ω-ಸೆಂ	0.003-0.3
8	ಓರಿಯಂಟೇಶನ್ ಫ್ಲಾಟ್ (OF) ಮಿಮೀ	16±1
9	ಗುರುತಿಸುವಿಕೆ ಫ್ಲಾಟ್ (IF) ಮಿಮೀ	8±1
10	ಹಾಲ್ ಮೊಬಿಲಿಟಿ cm2/Vs ನಿಮಿಷ	100
11	ವಾಹಕ ಏಕಾಗ್ರತೆ ಸೆಂ^-3	(2-20) E17
12	ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಡೆನ್ಸಿಟಿ ಸೆಂ^-2ಗರಿಷ್ಠ	2.00E+05
13	ಮೇಲ್ಪದರ ಗುಣಮಟ್ಟ	P/E, P/P
14	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಬ್ಯಾಗ್‌ನಲ್ಲಿ ಸೀಲ್ ಮಾಡಿದ ಸಿಂಗಲ್ ವೇಫರ್ ಕಂಟೇನರ್, ಹೊರಗೆ ರಟ್ಟಿನ ಪೆಟ್ಟಿಗೆ

ಲೀನಿಯರ್ ಫಾರ್ಮುಲಾ	ಗ್ಯಾಪಿ
ಆಣ್ವಿಕ ತೂಕ	100.7
ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ	ಸತು ಮಿಶ್ರಣ
ಗೋಚರತೆ	ಕಿತ್ತಳೆ ಘನ
ಕರಗುವ ಬಿಂದು	ಎನ್ / ಎ
ಕುದಿಯುವ ಬಿಂದು	ಎನ್ / ಎ
300K ನಲ್ಲಿ ಸಾಂದ್ರತೆ	4.14 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³
ಶಕ್ತಿಯ ಅಂತರ	2.26 ಇವಿ
ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ	ಎನ್ / ಎ
CAS ಸಂಖ್ಯೆ	12063-98-8
ಇಸಿ ಸಂಖ್ಯೆ	235-057-2

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಜಿಎಪಿ ವೇಫರ್, ಕಡಿಮೆ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಡಿಸ್ಪ್ಲೇ ಸಿಸ್ಟಮ್‌ಗಳಿಗೆ ಕಡಿಮೆ-ವೆಚ್ಚದ ಕೆಂಪು, ಕಿತ್ತಳೆ ಮತ್ತು ಹಸಿರು ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು (LED ಗಳು) ಮತ್ತು ಹಳದಿ ಮತ್ತು ಹಸಿರು LCD ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ಹಿಂಬದಿ ಬೆಳಕು ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಮಧ್ಯಮದಿಂದ LED ಚಿಪ್‌ಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಹೊಳಪು, ಅತಿಗೆಂಪು ಸಂವೇದಕಗಳು ಮತ್ತು ಮಾನಿಟರಿಂಗ್ ಕ್ಯಾಮೆರಾಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಮೂಲಭೂತ ತಲಾಧಾರವಾಗಿಯೂ ಸಹ GaP ಅನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಲಾಗಿದೆ.