Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ (ಇಪಿಐ) ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್

ವಿವರಣೆ

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ಅಥವಾ ಇಪಿಐ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್, ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯಿಂದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದ ನಯಗೊಳಿಸಿದ ಸ್ಫಟಿಕ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲಾದ ಅರೆವಾಹಕ ಸ್ಫಟಿಕ ಪದರದ ವೇಫರ್ ಆಗಿದೆ.ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರವು ಏಕರೂಪದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯಿಂದ ತಲಾಧಾರದಂತೆಯೇ ಅದೇ ವಸ್ತುವಾಗಿರಬಹುದು ಅಥವಾ ವೈವಿಧ್ಯಮಯ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯಿಂದ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಪೇಕ್ಷಣೀಯ ಗುಣಮಟ್ಟದ ವಿಲಕ್ಷಣ ಪದರವಾಗಿರಬಹುದು, ಇದು ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಂಡಿದೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ CVD, ದ್ರವ ಹಂತದ ಎಪಿಟ್ಯಾಕ್ಸಿ LPE, ಹಾಗೆಯೇ ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣ ಕಡಿಮೆ ದೋಷದ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಮೇಲ್ಮೈ ಒರಟುತನದ ಅತ್ಯುನ್ನತ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು epitaxy MBE.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಪ್ರಾಥಮಿಕವಾಗಿ ಸುಧಾರಿತ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚು ಸಂಯೋಜಿತ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಎಲಿಮೆಂಟ್ಸ್ ಐಸಿಗಳು, ಡಿಸ್ಕ್ರೀಟ್ ಮತ್ತು ಪವರ್ ಸಾಧನಗಳು, ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟೈಪ್, MOS ಮತ್ತು BiCMOS ಸಾಧನಗಳಂತಹ IC ಗಾಗಿ ಡಯೋಡ್ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅಥವಾ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್‌ನ ಅಂಶಕ್ಕಾಗಿ ಸಹ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಇದಲ್ಲದೆ, ಮಲ್ಟಿಪಲ್ ಲೇಯರ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಮತ್ತು ದಪ್ಪ ಫಿಲ್ಮ್ ಇಪಿಐ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಮೈಕ್ರೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್, ಫೋಟೊನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಫೋಟೊವೋಲ್ಟಾಯಿಕ್ಸ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

ವಿತರಣೆ

ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನಿಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ಗಳು ಅಥವಾ ಇಪಿಐ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು 4, 5 ಮತ್ತು 6 ಇಂಚಿನ (100mm, 125mm, 150mm ವ್ಯಾಸ) ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿ ನೀಡಬಹುದು, <100>, <111>, <1ohm ನ ಎಪಿಲೇಯರ್ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ -cm ಅಥವಾ 150ohm-cm ವರೆಗೆ, ಮತ್ತು ಎಪಿಲೇಯರ್ ದಪ್ಪವು<1um ಅಥವಾ 150um ವರೆಗೆ, ಎಚ್ಚಣೆ ಅಥವಾ LTO ಚಿಕಿತ್ಸೆಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯದಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು, ಹೊರಗೆ ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯ ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯೊಂದಿಗೆ ಕ್ಯಾಸೆಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಅಥವಾ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರಕ್ಕಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ .

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಎಪಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ಸ್ಅಥವಾ ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ EPI ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು 4, 5 ಮತ್ತು 6 ಇಂಚಿನ (100mm, 125mm, 150mm ವ್ಯಾಸ) ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿ ನೀಡಬಹುದು, <100>, <111>, ಎಪಿಲೇಯರ್ ರೆಸಿಸಿವಿಟಿ <1ohm-cm ಅಥವಾ 150ohm-cm ವರೆಗೆ, ಮತ್ತು ಎಪಿಲೇಯರ್ ದಪ್ಪವು<1um ಅಥವಾ 150um ವರೆಗೆ, ಎಚ್ಚಣೆ ಅಥವಾ LTO ಚಿಕಿತ್ಸೆಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯದಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು, ಹೊರಗೆ ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯ ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯೊಂದಿಗೆ ಕ್ಯಾಸೆಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಅಥವಾ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರಕ್ಕಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ.

ಚಿಹ್ನೆ	Si
ಪರಮಾಣು ಸಂಖ್ಯೆ	14
ಪರಮಾಣು ತೂಕ	28.09
ಎಲಿಮೆಂಟ್ ವರ್ಗ	ಮೆಟಾಲಾಯ್ಡ್
ಗುಂಪು, ಅವಧಿ, ಬ್ಲಾಕ್	14, 3, ಪಿ
ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ	ವಜ್ರ
ಬಣ್ಣ	ಕಡು ಬೂದು
ಕರಗುವ ಬಿಂದು	1414°C, 1687.15 K
ಕುದಿಯುವ ಬಿಂದು	3265°C, 3538.15 K
300K ನಲ್ಲಿ ಸಾಂದ್ರತೆ	2.329 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³
ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ	3.2E5 Ω-ಸೆಂ
CAS ಸಂಖ್ಯೆ	7440-21-3
ಇಸಿ ಸಂಖ್ಯೆ	231-130-8

ಸಂ.	ವಸ್ತುಗಳು	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
1	ಸಾಮಾನ್ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
1-1	ಗಾತ್ರ	4"	5"	6"
1-2	ವ್ಯಾಸ ಮಿಮೀ	100 ± 0.5	125 ± 0.5	150 ± 0.5
1-3	ದೃಷ್ಟಿಕೋನ	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಲೇಯರ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
2-1	ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ	CVD	CVD	CVD
2-2	ವಾಹಕತೆಯ ಪ್ರಕಾರ	P ಅಥವಾ P+, N/ ಅಥವಾ N+	P ಅಥವಾ P+, N/ ಅಥವಾ N+	P ಅಥವಾ P+, N/ ಅಥವಾ N+
2-3	ದಪ್ಪ μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	ದಪ್ಪ ಏಕರೂಪತೆ	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ Ω-ಸೆಂ	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	ಪ್ರತಿರೋಧದ ಏಕರೂಪತೆ	≤3%	≤5%	-
2-7	ಡಿಸ್ಲೊಕೇಶನ್ ಸೆಂ-2	<10	<10	<10
2-8	ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ	ಯಾವುದೇ ಚಿಪ್, ಮಬ್ಬು ಅಥವಾ ಕಿತ್ತಳೆ ಸಿಪ್ಪೆ ಉಳಿದಿಲ್ಲ, ಇತ್ಯಾದಿ.
3	ತಲಾಧಾರದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಿ
3-1	ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ	CZ	CZ	CZ
3-2	ವಾಹಕತೆಯ ಪ್ರಕಾರ	ಪಿ/ಎನ್	ಪಿ/ಎನ್	ಪಿ/ಎನ್
3-3	ದಪ್ಪ μm	525-675	525-675	525-675
3-4	ದಪ್ಪ ಏಕರೂಪತೆ ಗರಿಷ್ಠ	3%	3%	3%
3-5	ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ Ω-ಸೆಂ	ಅಗತ್ಯವಿರುವಂತೆ	ಅಗತ್ಯವಿರುವಂತೆ	ಅಗತ್ಯವಿರುವಂತೆ
3-6	ಪ್ರತಿರೋಧದ ಏಕರೂಪತೆ	5%	5%	5%
3-7	TTV μm ಗರಿಷ್ಠ	10	10	10
3-8	ಬಿಲ್ಲು μm ಗರಿಷ್ಠ	30	30	30
3-9	ವಾರ್ಪ್ μm ಗರಿಷ್ಠ	30	30	30
3-10	EPD cm-2 ಗರಿಷ್ಠ	100	100	100
3-11	ಎಡ್ಜ್ ಪ್ರೊಫೈಲ್	ದುಂಡಾದ	ದುಂಡಾದ	ದುಂಡಾದ
3-12	ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ	ಯಾವುದೇ ಚಿಪ್, ಮಬ್ಬು ಅಥವಾ ಕಿತ್ತಳೆ ಸಿಪ್ಪೆ ಉಳಿದಿಲ್ಲ, ಇತ್ಯಾದಿ.
3-13	ಬ್ಯಾಕ್ ಸೈಡ್ ಮುಕ್ತಾಯ	ಎಚ್ಚಣೆ ಅಥವಾ LTO (5000±500Å)
4	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	ಒಳಗೆ ಕ್ಯಾಸೆಟ್, ಹೊರಗೆ ರಟ್ಟಿನ ಪೆಟ್ಟಿಗೆ.

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ವೇಫರ್ಸ್ಪ್ರಾಥಮಿಕವಾಗಿ ಸುಧಾರಿತ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚು ಸಂಯೋಜಿತ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಅಂಶಗಳು ICಗಳು, ಡಿಸ್ಕ್ರೀಟ್ ಮತ್ತು ಪವರ್ ಸಾಧನಗಳು, ಡಯೋಡ್ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಅಂಶಕ್ಕಾಗಿ ಅಥವಾ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟೈಪ್, MOS ಮತ್ತು BiCMOS ಸಾಧನಗಳಂತಹ IC ಗಾಗಿ ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ಸಹ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಇದಲ್ಲದೆ, ಮಲ್ಟಿಪಲ್ ಲೇಯರ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಮತ್ತು ದಪ್ಪ ಫಿಲ್ಮ್ ಇಪಿಐ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಮೈಕ್ರೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್, ಫೋಟೊನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಫೋಟೊವೋಲ್ಟಾಯಿಕ್ಸ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.