Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಎಸ್ಬಿ₂Te₃|ಅಲ್₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

ವಿವರಣೆ

ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್Sb₂Te₃, ಆವರ್ತಕ ಕೋಷ್ಟಕದಲ್ಲಿ ಗುಂಪು VA, VIA ಅಂಶಗಳ ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕ.ಷಡ್ಭುಜೀಯ-ರೋಂಬೋಹೆಡ್ರಲ್ ರಚನೆಯೊಂದಿಗೆ, ಸಾಂದ್ರತೆ 6.5g/cm³, ಕರಗುವ ಬಿಂದು 620^oC, ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್ 0.23eV, CAS 1327-50-0, MW 626.32, ಇದು ನೈಟ್ರಿಕ್ ಆಮ್ಲದಲ್ಲಿ ಕರಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಕರಗುವುದಿಲ್ಲ, ಮತ್ತು ದಹಿಸಲಾಗದ ಸ್ಥಿರತೆ.ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಗುಂಪು-15 ಮೆಟಾಲಾಯ್ಡ್ ಟ್ರೈಕಾಲ್ಕೊಜೆನೈಡ್ಸ್, Sb ಗೆ ಸೇರಿದೆ₂Te₃ಸ್ಫಟಿಕಗಳು ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಪಾರ್ಶ್ವದ ಗಾತ್ರ, ಆಯತಾಕಾರದ ಆಕಾರ ಮತ್ತು ಲೋಹೀಯ ನೋಟವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ವ್ಯಾನ್ ಡೆರ್ ವಾಲ್ಸ್ ಸಂವಹನಗಳ ಮೂಲಕ ಪದರಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತೆಳುವಾದ 2D ಪದರಗಳಾಗಿ ಎಫ್ಫೋಲಿಯೇಟ್ ಮಾಡಬಹುದು.ಬ್ರಿಡ್ಜ್‌ಮ್ಯಾನ್ ವಿಧಾನದಿಂದ ತಯಾರಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕ, ಟೋಪೋಲಾಜಿಕಲ್ ಇನ್ಸುಲೇಟರ್ ಮತ್ತು ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತು, ಸೌರ ಕೋಶದ ವಸ್ತುಗಳು, ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ.ಇದೇ ವೇಳೆ ಎಸ್.ಬಿ2Te3ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಹಂತದ ಬದಲಾವಣೆಯ ಮೆಮೊರಿ ಅಥವಾ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಡೇಟಾ ಸಂಗ್ರಹಣೆ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಪ್ರಮುಖ ಮೂಲ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟ್ ಮೆಟೀರಿಯಲ್, ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಡೋಪಾಂಟ್, ಕ್ಯೂಎಲ್‌ಇಡಿ ಡಿಸ್ಪ್ಲೇ, ಐಸಿ ಫೀಲ್ಡ್ ಇತ್ಯಾದಿ ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತು ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಾಗಿ ಅನೇಕ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ.

ವಿತರಣೆ

ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಎಸ್ಬಿ₂Te₃ಮತ್ತು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಲ್₂Te₃, ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಆಸ್₂Te₃, ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಬೈ₂Te₃, ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಗ₂Te₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ 4N 99.99% ಮತ್ತು 5N 99.999% ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪುಡಿ -60ಮೆಶ್, -80ಮೆಶ್, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್ 1-6mm, ಉಂಡೆ 1-20mm, ಚಂಕ್, ಬಲ್ಕ್ ಸ್ಫಟಿಕ, ರಾಡ್ ಮತ್ತು ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಇತ್ಯಾದಿ ಅಥವಾ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ತಲುಪಲು ವಿವರಣೆ.

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು

ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳುಲೋಹದ ಅಂಶಗಳು ಮತ್ತು ಮೆಟಾಲಾಯ್ಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಿ, ಸ್ಟೊಚಿಯೊಮೆಟ್ರಿಕ್ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಬದಲಾಗುವ ಸಂಯುಕ್ತ ಆಧಾರಿತ ಘನ ದ್ರಾವಣವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ.ಇಂಟರ್-ಮೆಟಾಲಿಕ್ ಸಂಯುಕ್ತವು ಲೋಹ ಮತ್ತು ಸೆರಾಮಿಕ್ ನಡುವಿನ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಹೊಸ ರಚನಾತ್ಮಕ ವಸ್ತುಗಳ ಪ್ರಮುಖ ಶಾಖೆಯಾಗಿದೆ.ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ Sb ನ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು₂Te₃, ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಲ್₂Te₃, ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಆಸ್₂Te₃, ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಬೈ₂Te₃, ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ CdTe, ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಜಿಂಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ CdZnTe, ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ CdMnTe ಅಥವಾ CMT, ಕಾಪರ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ Cu₂ಟೆ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಗಾ₂Te₃, ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ GeTe, ಇಂಡಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ InTe, Lead Telluride PbTe, Molybdenum Telluride MoTe₂, ಟಂಗ್‌ಸ್ಟನ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ WTe₂ಮತ್ತು ಅದರ (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಮತ್ತು ಅಪರೂಪದ ಭೂಮಿಯ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ಬಾರ್, ತಲಾಧಾರ, ಬೃಹತ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಮತ್ತು ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು.

ಸಂ.	ಐಟಂ	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
ಸಂ.	ಐಟಂ	ಸೂತ್ರ	ಶುದ್ಧತೆ	ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್
1	ಜಿಂಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	ZnTe	5N	-60ಮೆಶ್, -80ಮೆಶ್ ಪೌಡರ್, 1-20ಮಿಮೀ ಅನಿಯಮಿತ ಉಂಡೆ, 1-6ಮಿಮೀ ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಅಥವಾ ಖಾಲಿ. 500g ಅಥವಾ 1000g ಪಾಲಿಥಿಲೀನ್ ಬಾಟಲ್ ಅಥವಾ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಬ್ಯಾಗ್, ಹೊರಗೆ ರಟ್ಟಿನ ಪೆಟ್ಟಿಗೆ. ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯು ವಿನಂತಿಯ ಮೇರೆಗೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ. ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರಕ್ಕಾಗಿ ವಿಶೇಷ ವಿವರಣೆ ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅನ್ನು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು
2	ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	As₂Te₃	4N 5N
3	ಆಂಟಿಮನಿ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	ಎಸ್ಬಿ₂Te₃	4N 5N
4	ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	Al₂Te₃	4N 5N
5	ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	Bi₂Te₃	4N 5N
6	ಕಾಪರ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	Cu₂Te	4N 5N
7	ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	ಸಿಡಿಟಿಇ	5N 6N 7N
8	ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಜಿಂಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಮ್ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	Ga₂Te₃	4N 5N
11	ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	GeTe	4N 5N
12	ಇಂಡಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	InTe	4N 5N
13	ಲೀಡ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	PbTe	5N
14	ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	MoTe₂	3N5
15	ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್	WTe₂	3N5

ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್

ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಲ್₂Te₃ಅಥವಾಟ್ರಿಟೂರಿಯಮ್ ಡೈಲುಮಿನಿಯಮ್, CAS 12043-29-7, MW 436.76, ಸಾಂದ್ರತೆ 4.5g/cm³, ಯಾವುದೇ ವಾಸನೆಯಿಲ್ಲ, ಇದು ಬೂದು-ಕಪ್ಪು ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಆರ್ದ್ರ ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಟೆಲ್ಯುರೈಡ್ ಮತ್ತು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸೈಡ್ ಆಗಿ ವಿಭಜನೆಯಾಗುತ್ತದೆ.ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಲ್₂Te₃,1000 ° C ನಲ್ಲಿ Al ಮತ್ತು Te ಅನ್ನು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ರಚಿಸಬಹುದು, ಬೈನರಿ ಸಿಸ್ಟಮ್ Al-Te ಮಧ್ಯಂತರ ಹಂತಗಳನ್ನು AlTe, Al ಹೊಂದಿದೆ₂Te₃(α-ಹಂತ ಮತ್ತು β-ಹಂತ) ಮತ್ತು ಅಲ್₂Te₅, α- ಅಲ್ ನ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ₂Te₃ಮೊನೊಕ್ಲಿನಿಕ್ ಆಗಿದೆ.ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಲ್₂Te₃ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಔಷಧೀಯ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತು, ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅತಿಗೆಂಪು ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಲ್₂Te₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ 4N 99.99% ಮತ್ತು 5N 99.999% ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ತುಂಡು, ಬೃಹತ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ ಅಥವಾ ಬಾಟಲ್ ಅಥವಾ ಸಂಯೋಜಿತ ಚೀಲದ ಮೂಲಕ ನಿರ್ವಾತ ಪ್ಯಾಕೇಜ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ.

ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್

ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಅಥವಾ ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಡಿಟೆಲುರೈಡ್ ಆಸ್₂Te₃, ಒಂದು ಗುಂಪು I-III ಬೈನರಿ ಸಂಯುಕ್ತ, ಎರಡು ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ಆಲ್ಫಾ-ಆಸ್‌ನಲ್ಲಿದೆ₂Te₃ಮತ್ತು ಬೀಟಾ-ಆಸ್₂Te₃, ಇವುಗಳಲ್ಲಿ ಬೀಟಾ-ಆಸ್₂Te₃ರೋಂಬೋಹೆಡ್ರಲ್ ರಚನೆಯೊಂದಿಗೆ, ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳ ವಿಷಯವನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸುವ ಮೂಲಕ ಆಸಕ್ತಿದಾಯಕ ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ (TE) ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ.ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಆಸ್₂Te₃ಪುಡಿ ಲೋಹಶಾಸ್ತ್ರದಿಂದ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲ್ಪಟ್ಟ ಸಂಯುಕ್ತವು ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಕಾದಂಬರಿ ಟಿಇ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲು ಆಸಕ್ತಿದಾಯಕ ವೇದಿಕೆಯಾಗಿರಬಹುದು.As2Te3 ನ ಏಕ ಹರಳುಗಳನ್ನು HCl 25% w/w ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಸ್ಟೊಚಿಯೊಮೆಟ್ರಿಕ್ ಪ್ರಮಾಣಗಳ ಪುಡಿ As ಮತ್ತು Te ಗಳ ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಬಿಸಿ ಮಾಡಿ ಕ್ರಮೇಣ ತಂಪಾಗಿಸುವ ಮೂಲಕ ಜಲೋಷ್ಣೀಯವಾಗಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಇದನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಅರೆವಾಹಕಗಳು, ಟೋಪೋಲಾಜಿಕಲ್ ಇನ್ಸುಲೇಟರ್‌ಗಳು, ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಆಸ್₂Te₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ 99.99% 4N, 99.999% 5N ನ ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ತುಂಡು, ಬೃಹತ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ ವಿತರಿಸಬಹುದು.

ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್

ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಬೈ₂Te₃, ಪಿ ಟೈಪ್ ಅಥವಾ ಎನ್-ಟೈಪ್, ಸಿಎಎಸ್ ಸಂಖ್ಯೆ 1304-82-1, ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ 800.76, ಸಾಂದ್ರತೆ 7.642 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³, ಕರಗುವ ಬಿಂದು 585⁰ಸಿ, ನಿರ್ವಾತ ಕರಗುವಿಕೆ-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ ಅವುಗಳೆಂದರೆ ಬ್ರಿಡ್ಗ್‌ಮ್ಯಾನ್-ಸ್ಟಾಕ್ ಬಾರ್ಬರ್ ವಿಧಾನ ಮತ್ತು ವಲಯ-ಫ್ಲೋಟಿಂಗ್ ವಿಧಾನ.ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುವಾಗಿ, ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಸ್ಯೂಡೋ ಬೈನರಿ ಮಿಶ್ರಲೋಹವು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದ ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಕೂಲಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಬದಲಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿ ಆಧಾರಿತ ಏಕ ಹರಳುಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ, ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸಾಧನದ (ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಕೂಲರ್ ಅಥವಾ ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಜನರೇಟರ್) ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಬಹಳವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು, ಇದನ್ನು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಶೈತ್ಯೀಕರಣ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನ ವ್ಯತ್ಯಾಸದ ವಿದ್ಯುತ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು Bi2Te3 ತೆಳುವಾದ ಚಲನಚಿತ್ರ ವಸ್ತು.ಬಿಸ್ಮತ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಬೈ₂Te₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್ 4N 99.99% ಮತ್ತು 5N 99.999% ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ವಿತರಿಸಲು ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ರಾಡ್, ತಲಾಧಾರ, ಬೃಹತ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿದೆ.

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಗಾ₂Te₃MW 522.24, CAS 12024-27-0, ಕರಗುವ ಬಿಂದು 790℃ ಮತ್ತು ಸಾಂದ್ರತೆ 5.57g/cm ಹೊಂದಿರುವ ಗಟ್ಟಿಯಾದ ಮತ್ತು ಸುಲಭವಾಗಿ ಕಪ್ಪು ಹರಳು³.ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ, ದೋಷದ ಸಾಂದ್ರತೆ, ರಚನಾತ್ಮಕ, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿಸಲು ಬ್ರಿಡ್ಗ್‌ಮ್ಯಾನ್ ಬೆಳವಣಿಗೆ, ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಸಾರಿಗೆ CVT ಅಥವಾ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ವಲಯ ಬೆಳವಣಿಗೆಯಂತಹ ವಿಭಿನ್ನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ Gallium Telluride GaTe ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ.ಆದರೆ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಝೋನ್ ತಂತ್ರವು ನಿಜವಾದ ಅರೆವಾಹಕ ದರ್ಜೆಯ vdW ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುವ ಹಾಲೈಡ್ ಮುಕ್ತ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ, ಇದು ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಮಾಣು ರಚನೆಗಾಗಿ ನಿಧಾನ ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧತೆ ಮುಕ್ತ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಸಾರಿಗೆ CVT ತಂತ್ರದಿಂದ ತನ್ನನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸುತ್ತದೆ.ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ GaTe ಎರಡು ಮಾರ್ಪಾಡುಗಳೊಂದಿಗೆ III-VI ಲೋಹದ ಸಂಯುಕ್ತ ಸ್ಫಟಿಕಕ್ಕೆ ಸೇರಿದ ಲೇಯರ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಏಕಕೋನದ ಸ್ಥಿರ α-GaTe ಮತ್ತು ಷಡ್ಭುಜಾಕೃತಿಯ ಮೆಟಾಸ್ಟೇಬಲ್ β-GaTe ರಚನೆ, ಉತ್ತಮ p-ಮಾದರಿಯ ಸಾರಿಗೆ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್- ಬೃಹತ್ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ 1.67 eV ಅಂತರ, ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಹಂತವು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಮಾನೋಕ್ಲಿನಿಕ್ ಹಂತಕ್ಕೆ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ.ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಲೇಯರ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಭವಿಷ್ಯದ ಆಪ್ಟೋ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಆಕರ್ಷಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ಗಾ₂Te₃ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್‌ನಲ್ಲಿ 99.99% 4N, 99.999% 5N ನ ಶುದ್ಧತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪುಡಿ, ಗ್ರ್ಯಾನ್ಯೂಲ್, ಉಂಡೆ, ಚಂಕ್, ರಾಡ್, ಬಲ್ಕ್ ಸ್ಫಟಿಕ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ವಿವರಣೆಯಂತೆ ವಿತರಿಸಬಹುದು.