ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaN

ವಿವರಣೆ

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaN, CAS 25617-97-4, ಆಣ್ವಿಕ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿ 83.73, ವರ್ಟ್‌ಜೈಟ್ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಹೊಂದಿದ ಅಮೋನೋಥರ್ಮಲ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ವಿಧಾನದಿಂದ ಬೆಳೆದ III-V ಗುಂಪಿನ ಬೈನರಿ ಸಂಯುಕ್ತ ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್-ಗ್ಯಾಪ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆಗಿದೆ.ಪರಿಪೂರ್ಣ ಸ್ಫಟಿಕದಂತಹ ಗುಣಮಟ್ಟ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ಣಾಯಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರ ಮತ್ತು ವಿಶಾಲವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗ್ಯಾಪ್‌ನಿಂದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaN ಆಪ್ಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸೆನ್ಸಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಅಪೇಕ್ಷಣೀಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು

Gallium Nitride GaN ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಪ್ರಕಾಶಮಾನವಾದ ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್‌ಗಳ ಎಲ್ಇಡಿ ಘಟಕಗಳು, ಲೇಸರ್ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳಾದ ಹಸಿರು ಮತ್ತು ನೀಲಿ ಲೇಸರ್‌ಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೊಬಿಲಿಟಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು (HEMT ಗಳು) ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸಾಧನಗಳ ಉತ್ಪಾದನಾ ಉದ್ಯಮ.

ವಿತರಣೆ

ವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್‌ನಲ್ಲಿ ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaN ಅನ್ನು ವೃತ್ತಾಕಾರದ ವೇಫರ್ 2 ಇಂಚು "ಅಥವಾ 4" (50mm, 100mm) ಮತ್ತು ಚದರ ವೇಫರ್ 10×10 ಅಥವಾ 10×5 mm ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿ ಒದಗಿಸಬಹುದು.ಯಾವುದೇ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ವಿವರಣೆಯು ವಿಶ್ವಾದ್ಯಂತ ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ.

ಈಗ ವಿಚಾರಣೆ

ವಿವರಗಳು

ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಣೆ

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaN

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaNವೆಸ್ಟರ್ನ್ ಮಿನ್‌ಮೆಟಲ್ಸ್ (SC) ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್ ಅನ್ನು ವೃತ್ತಾಕಾರದ ವೇಫರ್ 2 ಇಂಚು "ಅಥವಾ 4" (50mm, 100mm) ಮತ್ತು ಚದರ ವೇಫರ್ 10×10 ಅಥವಾ 10×5 mm ಗಾತ್ರದಲ್ಲಿ ಒದಗಿಸಬಹುದು.ಯಾವುದೇ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ವಿವರಣೆಯು ವಿಶ್ವಾದ್ಯಂತ ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ.

ಸಂ.	ವಸ್ತುಗಳು	ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿವರಣೆ
1	ಆಕಾರ	ಸುತ್ತೋಲೆ	ಸುತ್ತೋಲೆ	ಚೌಕ
2	ಗಾತ್ರ	2"	4"	--
3	ವ್ಯಾಸ ಮಿಮೀ	50.8 ± 0.5	100 ± 0.5	--
4	ಬದಿಯ ಉದ್ದ ಮಿಮೀ	--	--	10x10 ಅಥವಾ 10x5
5	ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ	HVPE	HVPE	HVPE
6	ದೃಷ್ಟಿಕೋನ	ಸಿ-ಪ್ಲೇನ್ (0001)	ಸಿ-ಪ್ಲೇನ್ (0001)	ಸಿ-ಪ್ಲೇನ್ (0001)
7	ವಾಹಕತೆಯ ಪ್ರಕಾರ	ಎನ್-ಟೈಪ್/ಸಿ-ಡೋಪ್ಡ್, ಅನ್-ಡೋಪ್ಡ್, ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್
8	ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ Ω-ಸೆಂ	<0.1, <0.05, >1E6
9	ದಪ್ಪ μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm ಗರಿಷ್ಠ	15	15	15
11	ಬಿಲ್ಲು μm ಗರಿಷ್ಠ	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	ಮೇಲ್ಪದರ ಗುಣಮಟ್ಟ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	ಮೇಲ್ಮೈ ಬಿರುಸು	ಮುಂಭಾಗ: ≤0.2nm, ಹಿಂದೆ: 0.5-1.5μm ಅಥವಾ ≤0.2nm
15	ಪ್ಯಾಕಿಂಗ್	ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಬ್ಯಾಗ್‌ನಲ್ಲಿ ಮೊಹರು ಮಾಡಿದ ಸಿಂಗಲ್ ವೇಫರ್ ಕಂಟೇನರ್.

ಲೀನಿಯರ್ ಫಾರ್ಮುಲಾ	ಗಎನ್
ಆಣ್ವಿಕ ತೂಕ	83.73
ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ	ಝಿಂಕ್ ಮಿಶ್ರಣ / ವುರ್ಟ್ಜೈಟ್
ಗೋಚರತೆ	ಅರೆಪಾರದರ್ಶಕ ಘನ
ಕರಗುವ ಬಿಂದು	2500 °C
ಕುದಿಯುವ ಬಿಂದು	ಎನ್ / ಎ
300K ನಲ್ಲಿ ಸಾಂದ್ರತೆ	6.15 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ³
ಶಕ್ತಿಯ ಅಂತರ	(3.2-3.29) 300K ನಲ್ಲಿ eV
ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ	>1E8 Ω-ಸೆಂ
CAS ಸಂಖ್ಯೆ	25617-97-4
ಇಸಿ ಸಂಖ್ಯೆ	247-129-0

ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ GaNಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಪ್ರಕಾಶಮಾನವಾದ ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್‌ಗಳ ಎಲ್‌ಇಡಿ ಘಟಕಗಳು, ಲೇಸರ್ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳಾದ ಹಸಿರು ಮತ್ತು ನೀಲಿ ಲೇಸರ್‌ಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೊಬಿಲಿಟಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು (HEMT ಗಳು) ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿಯ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ತಾಪಮಾನ ಸಾಧನಗಳ ಉತ್ಪಾದನಾ ಉದ್ಯಮ.